Результаты (8):

Заголовок Effect of Number of Filaments on the Structure, Composition and Electrical Properties of µc-Si:h Layers Deposited Using HWCVD Technique
Автор(ы) S.K. Soni, R.O. Dusane
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 3
Страницы 0551 - 0557
Заголовок Nanostructured Hydrogenated Silicon Films by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition: the Influence of Substrate Temperature on Material Properties
Автор(ы) V.S. Waman, M.M. Kamble, M.R. Pramod, A.M. Funde, V.G. Sathe, S.W. Gosavi, S.R. Jadkar
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 3
Страницы 0590 - 0600
Заголовок Inter-Electrode Separation Induced Amorphous-to-Nanocrystalline Transition of Hydrogenated Silicon Prepared by Capacitively Coupled RF PE-CVD Technique
Автор(ы) A.M. Funde, V.S. Waman, M.M. Kamble, M.R. Pramod, V.G. Sathe, S.W. Gosavi, S.R. Jadkar
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 4
Страницы 0651 - 0661
Заголовок Helium Induced Structural Disorder in Hydrogenated Nanocrystalline Silicon (nc-Si:H) Thin Films Prepared by HW-CVD Method
Автор(ы) Nabeel A. Bakr
Выпуск Том 4, Год 2012, Номер 3
Страницы 03006-1 - 03006-7
Заголовок Modeling of Field Effect Mobility Using Grain Boundaries on Nanocrystalline Silicon Thin-Film Transistor (nc-Si TFT)
Автор(ы) Abhishek Mukherjee, Prachi Sharma, Navneet Gupta
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 4
Страницы 04054-1 - 04054-3
Заголовок Characterization of in-situ Doped Polycrystalline Silicon Using Schottky Diodes and Admittance Spectroscopy
Автор(ы) H. Ayed, L. Béchir, M. Benabdesslem, N. Benslim, L. Mahdjoubi, T. Mohammed-Brahim, A. Hafdallah, M.S. Aida
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 1
Страницы 01038-1 - 01038-4
Заголовок A Numerical Simulation of the Effect of Buffer Layer Band Gap on the Performances of nc-Si : H Based Solar Cells
Автор(ы) H. Touati, B. Amiri, A.C. Sebbak, A. Benameur, H. Aït-kaci
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 2
Страницы 02008-1 - 02008-6
Заголовок Influence of Characteristic Energies and Charge Carriers Mobility on the Performance of a HIT Solar Cell
Автор(ы) Wassila Leila Rahal, Djaaffar Rached
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 4
Страницы 04001-1 - 04001-5