Оцінка розміру та концентрації наночастинок срібла у водному зависі зі спектрів екстинкції
| Автори | С.З. Малинич |
| Приналежність | Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, просп. Науки, 41, 03028, Київ, Україна |
| Е-mail | s.malynych@gmail.com |
| Випуск | Том 2, Рік 2010, Номер 4 |
| Дати | Одержано 26.11.2010, у відредагованій формі – 29.12.2010 |
| Посилання | С.З. Малинич, Ж. нано- електрон. фіз. 2 №4, 5 (2010) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 81.07.Bc, 78.67.Bf |
| Ключові слова | Наночастинки срібла (5) , Колоїд (3) , Спектри екстинкції (2) , Локалізований поверхневий плазмонний резонанс. |
| Анотація |
Розмір та концентрацію наночастинок срібла, завислих у воді, можна легко оцінити за їх спектрами екстинкції. Це можливо завдяки сильній кореляції локалізованих поверхневих плазмонних резонансів, що збуджуються у наночастинках електромагнітним випромінюванням, із розміром та формою металевих наночастинок. Представлено калібрувальну криву для наночастинок срібла у воді, отриману із розрахунків згідно з теорією Мі. Проведено порівняння з опублікованими експериментальними даними. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Стохастична динаміка намагніченості наночастинки у циркулярно-поляризованому магнітному полі [012-021]2) Самосинхронізація у системі нелінійних осциляторів ван Дер Поля [022-030]
3) Дифузійний ріст і морфологічна стійкість двовимірного виділення нової фази, розташованого на міжзеренній границі [031-046]
4) Експериментальна установка та методика моделювання просторових хвиль у багатозв'язних квазіоптичних системах з періодичними неоднорідностями [047-058]
5) Моделювання на атомарному рівні еволюції вакансійних пор в опромінених матеріалах [059-074]
6) Вплив концентрації носіїв заряду фосфіда індію на формування поруватого шару [075-081]
7) Структурно-фазовий стан та оптичнi властивостi покриттiв з ZnO [082-089]
8) Оцінка ширини пучка у магнітному мас-спектрометрі [090-095]
9) Магніторезистивні властивості плівок Fe і мультишарів на їх основі [096-114]
10) Визначення товщини активної області Si-PIn детектора за залежністю інтенсивності аналітичних ліній однокомпонентних еталонів від довжини хвилі [115-118]
